Diodes Inc. DMN26D0UFB4-7
$ 0.04
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN26D0UFB4-7 | 0 | 5 | 10h | ||||||||
| Component Stockers USA | DMN26D0UFB4-7 | 34.892 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-DMN26D0UFB4-7 | 90.655 | 425 | 13h | ||||||||
| ICPartonline | DMN26D0UFB4-7 | 35.408 | >1wk | |||||||||
| Worldway Electronics | DMN26D0UFB4-7 | 20.710 | 7 | Tape & Reel | 12h |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-02-17
LTD Date2022-02-17
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN26D0UFB4-7 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 20 V 350 mW Silicon Surface Mount Mosfet - DFN-3
MOSFET, N-CH, 20V, 0.24A, X2-DFN1006; Available until stocks are exhausted
Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
350mW(Ta) 10V 1.1V@ 250¦ÌA 1N 20V 3¦¸@ 100mA,4.5V 230mA 14.1pF@15V 600¦Ìm*1mm*400¦Ìm
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet Bvdss: 8V~24V X2-Dfn1006-3 T&r 3K
MOSFETs 20V 1.00 x 0.60mm SMT X2-DFN1006-3 240mA N-Channel
N-Channel Enhancement MOSFET X2-DFN3
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 10±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET N-CHANNEL DFN1006H4-3 GREEN 3K
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance14.1 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation350 mW
Rds On Max3 Ω
Resistance10 Ω
Rise Time7.9 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time13.4 ns
Turn-On Delay Time3.8 ns
Dimensions
Height400 µm
Length1.05 mm
Width650 µm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità