Diodes Inc. DMN2100UDM-7
$ 0.186
Production
Prezzo e stock
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Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.11%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2100UDM-7.
Parti correlate
Diodes Inc.DMG9926UDM-7
Mosfet, Dual, N-Ch, 20V, 4.2A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG9926UDM-7
Diodes Inc.DMN3115UDM-7
MOSFET, N-CH, 30V, 3.2A, SOT-26; Available until stocks are exhausted
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN2100UDM-7 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 20 V 1.5 W 8.8 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23-6
Mosfet, N-Ch, 20V, 4A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2100UDM-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-26, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.11%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time234 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance555 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time78 ns
Turn-Off Delay Time561 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2100UDM-7.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità