Diodes Inc. DMN2041LSD-13
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -94.32%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2041LSD-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF7401TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;VF
Diodes Inc.DMC2020USD-13
Dual N/P-Channel 20 V 28/45 mOhm 11.6/15.4 nC 2.14 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMN2029USD-13
Dual N-Channel 20 V 35 mOhm 10.4 nC 1.2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN2041LSD-13 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 7.63A 8-Pin SOIC T/R
DiodesZetex N-Channel Enhancement MOSFET, Vds=20V, 7.6A, SOIC, SMD, 8-Pin
Dual N-Channel 20 V 28/41 mO 15.6 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A Automotive 8-Pin SO T/R
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET SOIC8
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.63A, SOIC;
Power Field-Effect Transistor, 7.63A I(D), 20V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
DiodesZetex DMN2041LSD-13 パワーMOSFET
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -94.32%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.63 A
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Fall Time6.43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.16 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.16 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time13.19 ns
Turn-Off Delay Time22.1 ns
Turn-On Delay Time4.69 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2041LSD-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità