Diodes Inc. DMN2041L-7
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -17.73%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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DMN2050L Series 20 V 29 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
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DMP2160U Series 20 V 80 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
VishaySI2312CDS-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 0.0318ohm; 2.1W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
VishaySI2301CDS-T1-E3
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN2041L-7 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 20 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 20V 6.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Diodes Incorporated N-Ch MOSFET, Vds=20V, 6.4A, SOT-23, SMD, 3-Pin
MOSFET, N CH, 20V, 6.4A, 0.78W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V; Pow
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -17.73%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation780 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation780 mW
Rds On Max28 mΩ
Resistance41 mΩ
Rise Time13.19 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time22.1 ns
Turn-On Delay Time4.69 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità