Diodes Inc. DMN2020LSN-7
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +5.39%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Diodes Inc.DMN2112SN-7
Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN2020LSN-7 fornite dai suoi distributori.
DMN2020LSN Series 20V 6.9 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, SC-59, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex NChannel EnhancedMOSTube, Vds=20 V, 6.9 A, SOT-346 (SC-59)encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, N-CH, 20V, SC-59-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Di
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +5.39%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.149 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation610 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation610 mW
Rds On Max20 mΩ
Rise Time12.49 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time35.89 ns
Turn-On Delay Time11.67 ns
Dimensions
Height1.4 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità