Diodes Inc. DMN2016UTS-13
$ 0.253
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN2016UTS-13 | 22.500 | 2500 | 13h | ||||||||
| Newark | DMN2016UTS-13 | 76 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN2016UTS-13 | 22.500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN2016UTS-13 | 1480 | 458 | |||||||||
| DigiKey | DMN2016UTS-13DICT-ND | 2122 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -65.08%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2016UTS-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti correlate
Diodes Inc.DMP2035UTS-13
Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R / MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
NXP SemiconductorsPMGD130UN,115
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN2016UTS-13 fornite dai suoi distributori.
20V 8.58A 14.5mΩ@4.5V,9.4A 880mW 1V@250uA 2 N-Channel TSSOP-8-3.0mm MOSFETs ROHS
Dual N-Channel 20 V 14.5 mOhm Enhancement Mode Mosfet
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
Dual N-Channel Enhancement MOSFET TSSOP8
RS APAC
DiodesZetex NMOS, Vds=20 V, 8.6 A, TSSOP, , 8
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.58A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, N-CH, 20V, 8.58A;
MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
Mosfet Bvdss: 8V~24V Tssop-8 T&r 2.5K
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 8.58A;
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -65.08%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight157.991892 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.58 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance14.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time16.27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.495 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation880 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation880 mW
Rds On Max14.5 mΩ
Resistance14.5 mΩ
Rise Time11.66 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time59.38 ns
Turn-On Delay Time10.39 ns
Dimensions
Height1.025 mm
Length4.5 mm
Width3.1 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2016UTS-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità