Diodes Inc. DMG6898LSD-13
$ 0.362
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG6898LSD-13 | 1865 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMG6898LSD-13DICT-ND | 560 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG6898LSD-13 | 0 | 2500 | 14h | ||||||||
| Avnet | DMG6898LSD-13 | 0 | 2500 | 23h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMG6898LSD-13 | 0 | 50 | Bulk | 14h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -75.12%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG6898LSD-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN2028USS-13
1.56W(Ta) 8V 1.3V@ 250¦ÌA 11.6nC@ 4.5 V 1N 20V 20m¦¸@ 9.4A,4.5V 7.3A 1nF@10V SOIC-8
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMG6898LSD-13 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
DMG6898LSD Series 20 V 9.5 A Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Mosfet, Dual, N-Ch, 20V, 9.5A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG6898LSD-13
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.28 W
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -75.12%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time12.33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.149 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.28 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.28 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time12.49 ns
Turn-Off Delay Time35.89 ns
Turn-On Delay Time11.67 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG6898LSD-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità