Diodes Inc. DMG6601LVT-7
$ 0.15
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG6601LVT-7 | 97 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG6601LVT-7 | 526 | 1 | 11h | ||||||||
| DigiKey | DMG6601LVT-7DICT-ND | 115 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMG6601LVT-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMG6601LVT-7 | 0 | 50 | Bulk | 14h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +60.85%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG6601LVT-7.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. DMG6601LVT-7, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN4060SVT-7
Mosfet, N-Ch, 45V, 4.8A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4060SVT-7
Diodes Inc.DMP2035UVT-7
P-Channel 20 V 35 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT26-6
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMG6601LVT-7 fornite dai suoi distributori.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N & P-CH, 30V, TSOT-26; Transistor Polarity:N and P Complement; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +60.85%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSOT
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins26
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance422 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation850 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation850 mW
Rds On Max55 mΩ
Rise Time4.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18.3 ns
Turn-On Delay Time1.7 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMG6601LVT-7.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità