Diodes Inc. DDTC114WE-7-F
$ 0.058
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DDTC114WE-7-F | 72.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Verical | DDTC114WE-7-F | 72.000 | 3K | |||||||||
| TME | DDTC114WE-7-F | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| Arrow Electronics | DDTC114WE-7-F | 0 | 3K | |||||||||
| Win Source | WS-DDTC114WE-7-F | 20 | 1015 | 9h |
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DDTC114WE-7-F.
Parti correlate
Diodes Inc.DDTC114EE-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.DDTC143EE-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
Diodes Inc.DDTC143XE-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DDTC114WE-7-F fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
300mV@ 500¦ÌA,10mA NPN - Pre-Biased 150mW 500nA 50V 100mA SOT-523 1.6mm*800¦Ìm*750¦Ìm
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 150mW
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-523
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.012816 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min24
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
Schede tecniche e documenti
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