Diodes Inc. BCX6825TA
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Tendenza a 3 mesi: +14.55%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
Diodes Inc.DXT3150-13
Small Signal Bipolar Transistor, 0.005A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.2DD2098R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiKSD1621RTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
onsemiKSD1621TTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. BCX6825TA fornite dai suoi distributori.
20V 1W 160@500mA,1V 1A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
BCX6825 Series NPN 1 A 20 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 20V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation
TRANSISTOR, NPN, 20V, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:500mA; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:160; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:25V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +14.55%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)25 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità