Diodes Inc. 2DB1689-7
$ 0.084
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DB1689-7.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. 2DB1689-7, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-03-15
LTD Date2021-03-15
Parti correlate
ROHM2SB1689T106
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DSS5160U-7
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. 2DB1689-7 fornite dai suoi distributori.
DIODES INC. 2DB1689-7 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2DB1689 Series 12 V 1.5 A 300 mW PNP Surface Mount Transistor - SOT-323
TRANSISTOR, PNP, SOT323, 0.3W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 200mV; Current Ic Continuous a Max: 500mA; Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz; Hfe Min: 270; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Low Saturation (BISS)
Transistor, Pnp, 12V, 500Ma, 300Mw, Sot-323; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:12V; Frecuencia De Transición Ft:300Mhz; Disipación De Potencia Pd:300Mw; Corriente De Colector Dc:500Ma; Núm. De Contactos:3 |Diodes Inc. 2DB1689-7
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.15 mm
Width1.3 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DB1689-7.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità