Diodes Inc. 2DB1386Q-13
$ 0.251
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 2DB1386Q-13 | 2500 | 2500 | 1d | ||||||||
| Verical | 2DB1386Q-13 | 2500 | 2500 | |||||||||
| TME | 2DB1386Q-13 | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| Arrow Electronics | 2DB1386Q-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Mouser | 621-2DB1386Q-13 | 159 | 1 | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DB1386Q-13.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
ROHM2SB1386T100R
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1386T100Q
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.2DB1424R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SB1424T100Q
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. 2DB1386Q-13 fornite dai suoi distributori.
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.005A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
1V@ 100mA,4A PNP 1W 6V 500nA 30V 20V 5A SOT-89-3 4.5mm*2.48mm*1.5mm
Bipolar Transistors - BJT 1000W -20Vceo
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current5 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DB1386Q-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità