Easev Memoria

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Multichip Packages, NAND-Based MCP, 2Gb, LPDDR 1Gb, 1.7V-1.9V, 137-ball TFBGA, RoHS
Pagina del produttore
K4T51163QJ-BCF7 Samsung BGA
Modelli CAD
Synchronous Dram, 16MX16, 5.4NS, Cmos, PDSO54, 0.400 Inch, Lead Free, Plastic, TSOP2-54
Pagina del produttore
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
Pagina del produttore
256Kx16 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
Pagina del produttore