Vishay TCST1230
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Chaîne d'approvisionnement
Introduction Date1999-12-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay TCST1230 fournies par ses distributeurs.
9.2 x 4.8 x 5.4 mm 2.8 mm Gap 150 mW 70 V 950 nm Transmissive Optical Sensor
PHOTOSENSOR, TRANSM. TR. O/P LEADED; Input Current:60mA; No. of Channels:1; No. of Pins:4; Opto Case Style:Through Hole; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Output Voltage:70V
Sensor Type = Fork Light Barrier / Optical Sensor Output Type = Transistor / Sensing Distance Min. mm = 0 / Sensing Distance Max. mm = 3.1 / Light Type = Infrared / Operating Voltage Min. V = 1.25 / Operating Voltage Max. V = 1.5 / Termination Type = Pins / Load Current mA = 200 / Series = TCST Series / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 85 / Width mm = 6.3 / Length mm = 11.9 / Height mm = 10.8
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -52.01%
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingSilver, Tin
MountPCB, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Ambient Temperature Range High85 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V
Dark Current100 nA
Fall Time10 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.25 V
Input Current60 mA
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)100 °C
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage70 V
Power Dissipation250 mW
Response Time10 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time15 µs
Schedule B8541406050
Sensing Distance2.794 mm
Voltage Rating (DC)1.25 V
Wavelength950 nm
Dimensions
Height5.5 mm
Length8.3 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité