Vishay SQJ850EP-T1_GE3
$ 0.887
NRND
Prix et stock
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Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SQJ850EP-T1_GE3CT-ND | 6 032 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQJ850EP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Newark | SQJ850EP-T1_GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | SQJ850EP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| TTI Europe | SQJ850EP-T1/GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 1d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySQD30N05-20L_GE3
VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
VishaySQD25N06-22L_GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
InfineonAUIRFR4105Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
onsemiNTMFS5C646NLT1G
ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
Descriptions
Descriptions de Vishay SQJ850EP-T1_GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 60 V 0.023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8L
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFET N-Ch 60V 24A 175C PowerPAK SO8L-5
RS APAC
N-CH 60V 24A 23mOhm PPSO-8L RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay NMOS SQ Rugged, Vds=60 V, 24 A, PowerPAK SO-8L, , 5
MOSFET 60V 24A 45W N-Ch Automotive
MOSFET,N CH,W DIODE,60V,24A,POPAK8L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:45W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.225 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance23 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité