Vishay SI7190DP-T1-GE3
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI7190DP-T1-GE3.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Vishay SI7190DP-T1-GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-03
LTD Date2025-05-03
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7190DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 250V 18.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
SI7190 Series N-Channel 250 V 18.4 A 118 mOhms Mosfet - PowerPak SO-8
N-CHANNEL 250-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:18.4A; On Resistance Rds(On):0.098Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N CH, 250V, 18.4A, PPAK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18.4A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):98mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:96W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:18.4A; Power Dissipation Pd:96W; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Resistance118 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.214 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max118 mΩ
Resistance118 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI7190DP-T1-GE3.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité