Vishay SI7110DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
$ 1.055
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
742-SI7110DN-T1-GE3CT-ND4 0301Cut Tape
TME
2
SI7110DN-T1-GE303K
19h
TTISI7110DN-T1-GE303KTape & Reel
1d
AvnetSI7110DN-T1-GE303K
2d
Arrow ElectronicsSI7110DN-T1-GE303K

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet12 pagesIl y a 10 ans

Newark

element14 APAC

iiiC

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
VishaySI7110DN-T1-GE3
VishaySI7110DN-T1-E3
Price @ 1000
$ 1.055
$ 1.147
Stock
432,179
486,338
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
13.5 A
13.5 A
Threshold Voltage
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
5.3 mΩ
5.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
1.5 W
Input Capacitance
-
-

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

VishaySIZ710DT-T1-GE3
Dual N-Channel 20 V 0.0068 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAIR 6 x 3.7 mm
Détails
VishaySI7108DN-T1-GE3
N-Channel 20 V 3.8 W 4.9 mohm SMT Fast Switching Mosfet - PowerPAK 1212-8
Détails
VishaySI4114DY-T1-GE3
Single N-Channel 20 V 6 mOhm 5.7 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF7457PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF7456PBF
Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 16 Amp 8-Pin SOIC
Détails
InfineonIRF8910TRPBF
Dual N-Channel 20 V 13.4 mOhm 7.4 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI7110DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet
1.5W(Ta) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 21nC@ 4.5 V 1N 20V 5.3m¦¸@ 21.1A,10V 13.5A 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
UnikeyIC
N-CH 20-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET
Vishay
N CH MOSFET, 20V, 21.1A, POWERPAK, FULL
Farnell
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:21100mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:1.5W ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

Farnell
iiiC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI7110DNT1GE3