Vishay IRFZ44STRLPBF
$ 1.255
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0 composant disponible
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Pièces détachées
onsemiHUFA76432S3ST
130W(Tc) 3V@ 250µA 53nC@ 10V 1individualNChannel 60V 17mΩ@ 59A,10V 1.765pF@25V D2PAK SMD mount
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFZ44STRLPBF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Single N-Channel 60 V 50 A 3.7 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
MOSFET, N-CH, 3.7W, TO-263/D2PAK-3;
3.7W(Ta),150W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 67nC@ 10 V 1N 60V 28m¦¸@ 31A,10V 50A 1.9nF@25V D2PAK,TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time92 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.7 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité