Vishay IRFZ10PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Pièces détachées
InfineonIRF9Z24NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -12A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFZ10PBF fournies par ses distributeurs.
IRFZ10 Series N-Channel 60 V 200 mOhm 43 W Power Mosfet - TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
43W(Tc) 20V 4V@ 250µA 11nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 200mΩ@ 6A,10V 10A 300pF@25V TO-220AB Through hole mounting 10.41mm*4.7mm*15.49mm
N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vg
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation43 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation43 W
Rds On Max200 mΩ
Resistance200 MΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité