Vishay IRFR110PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
$ 0.349
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay IRFR110PBF.

Newark

Datasheet13 pagesIl y a 4 ans
Datasheet11 pagesIl y a 14 ans
Datasheet8 pagesIl y a 16 ans
Datasheet11 pagesIl y a 9 ans
Datasheet11 pagesIl y a 11 ans

element14 APAC

element14

RS (Formerly Allied Electronics)

Farnell

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+7.02%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Vishay IRFR110PBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
Ultra Librarian
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohm 8.3 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V , 5.5 A, 104 mΩ
onsemiFQD5P10TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK

Descriptions

Descriptions de Vishay IRFR110PBF fournies par ses distributeurs.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.3A, D-PAK; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:4.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: No
MOSFET, N, 100V, 4.3A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):540mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:4.3A; Current Temperature:25°C; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; External Width:6.8mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:5°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:17A; SMD Marking:IRFR110; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR110PBF.