Vishay IRFR014TRLPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Pièces détachées
onsemiNTD3055-150T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 9A 28.8W 23ns
onsemiFQD11P06TM
TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -60V, -9.4A, 185 MOHM, -55 TO 150C, D2PAK
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFR014TRLPBF fournies par ses distributeurs.
IRFR014 Series 60 V 7.7 A 2.5 W SMT N-Channel Power Mosfet - TO-252-3
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N-Ch MOSFET, 20V, 2.5W(Ta)/25W(Tc), Qg 11nC@10V, 60V, 200mΩ@4.6A/10V, 7.7A, 300pF@25V, TO-252, SMD, 6.73mm × 6.22mm × 2.38mm
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -21.24%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité