Vishay IRFPC60LCPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFPC60LCPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 600 V 0.4 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N TO-247AC 600V 16A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):400mohm; Power Dissipation Pd:280W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W; Lead Spacing:5.45mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:280W; Power Dissipation Pd:280W; Pulse Current Idm:64A; Voltage Vds:600V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation280 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation280 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité