Vishay IRFI644GPBF
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Fiche technique officielleIl y a 2 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFI644GPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 250 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
250V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A TO-220 FULLPAK (ISO) PACKAGE
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Full-Pak
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:250V; Continuous Drain Current, Id:7.9A; On Resistance, Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220 FULLPAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.9 A
Current Rating7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation40 W
Rds On Max280 mΩ
Recovery Time500 ns
Resistance280 mΩ
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité