Vishay IRFD220PBF

Name: Vishay IRFD220PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFD220PBF

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

$ 0.695

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor	SKU		Min	Pkg
TTI	IRFD220PBF	0	100				0,709	0,709	0,709	5h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFD220PBF	0	1	Bulk	0,770	0,680	0,680	0,680	0,680	4h
Farnell	IRFD220PBF	0	1		0,853*	0,654*	0,559*	0,559*	0,559*	3h
element14 APAC	IRFD220PBF	0	1		1,165*	0,844*	0,664*	0,375*	0,350*	1d
Microchip USA	IRFD220PBF	1 426	600	Bulk				1,800	1,800	7d

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JRH Electronics

Datasheet9 pagesIl y a 4 ans

Newark

element14 APAC

element14

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1993-09-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-11-18

LTD Date2025-05-18

Pièces détachées

VishayIRFD210PBF

Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Détails

VishayIRFD224PBF

Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP

Détails

VishayIRFD110PBF

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1 A, 540 MilliOhms, HVMDIP, 4 Pins, Through Hole

Détails

onsemiFAN7530N

PFC IC Critical Conduction (CRM), Discontinuous (Transition) 8-DIP

Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay IRFD220PBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Future Electronics

MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD220PBF

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HexDIP

Verical

POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

N Channel Mosfet, 200V, 800Ma, Hd-1; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:800Ma; On Resistance Rds(On):0.8Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No

Newark

MOSFET, N, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:800mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Pd:1W; Pulse Current Idm:6.4A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Images

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Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

VIS
VISH
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Vishay Thin Film
Vishay Intertechnology
VISHA
Vishay Semiconductors
VISAHY
Vishay Intertech
VISHY
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
Vishay Intertechnologies
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay Semiconductor Opto Division
VSHAY
VISH/IR
VSHY
VSH
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
VISHAY ELECTRONIC
VISHAY AMERICAS INC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VISHAY OPTO
Vishay Techno
VISHAY FOIL RESISTORS
Vishay Semiconductor
Vishay Sfernice
Vishay Siliconix
Vishay Dale
Vishay BCcomponents
Vishay Angstrohm
Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFD220PBF.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDIP

MountThrough Hole

Number of Pins4

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)800 mA

Current Rating800 mA

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance800 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time22 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance260 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation1 W

Rds On Max800 mΩ

Recovery Time300 ns

Resistance800 mΩ

Rise Time22 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time19 ns

Turn-On Delay Time7.2 ns

Voltage Rating (DC)200 V

Dimensions

Height3.37 mm

Length5 mm

Width6.29 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet9 pagesIl y a 4 ans

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Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement5 pagesIl y a 14 ans