Vishay IRFD120PBF

Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
$ 0.752
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
CoreStaffST636998302261
10h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFD120PBF02500Bulk
8h
TTI AsiaIRFD120PBFContact
1d
TTI EuropeIRFD120PBF0100Tube
20h
element14 APACIRFD120PBF01
1d

Fiches techniques et documents

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Datasheet9 pagesIl y a 3 ans
Technical Drawing1 pageIl y a 15 ans

Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-18
LTD Date2025-05-18

Pièces détachées

VishayIRFD110PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1 A, 540 MilliOhms, HVMDIP, 4 Pins, Through Hole
Détails
VishayIRFD014PBF
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Détails
VishayIRFD123PBF
Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP
Détails
onsemiFAN7530N
PFC IC Critical Conduction (CRM), Discontinuous (Transition) 8-DIP
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay IRFD120PBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HexDIP
Verical
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.3A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRFD120PBF; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:10.4A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Vishay
South Microelectronics
Newark
Distrelec
RS
TME
iiiC
Future Electronics
Farnell
LCSC
Jameco

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFD120PBF.