Vishay IRF840STRLPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB10NK60ZT4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 0.75ohm; 115W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Descriptions
Descriptions de Vishay IRF840STRLPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 500 V 0.85 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
MOSFET Devices; VISHAY; IRF840STRLPBF; 500 V; 8 A; 20 V; 3.1 W
500V 8A 3.1W 850m´Î@10V4.8A 4V@250Ã×A N Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max850 mΩ
Resistance850 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité