Vishay IRF730BPBF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Pièces détachées
VishaySIHF6N40D-E3
MOSFET, N-CH, 400V, 6A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
VishaySIHP6N40D-E3
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronicsSTP7NK40ZFP
N-Channel 400 V 1 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
onsemiFQPF6N40CT
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F / Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
Descriptions
Descriptions de Vishay IRF730BPBF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB | Siliconix / Vishay IRF730BPBF
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL 400V TO-220 IRF730BPBF
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance311 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max1 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité