Vishay IRF630STRRPBF
$ 0.781
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF630STRRPBFCT-ND | 47 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | IRF630STRRPBF | 0 | 800 | 6h | ||||||||
| TTI | IRF630STRRPBF | 0 | 800 | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Avnet | IRF630STRRPBF | 0 | 800 | 9h | ||||||||
| TTI Europe | IRF630STRRPBF | 0 | 800 | Tape & Reel | 11h |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Vishay IRF630STRRPBF fournies par ses distributeurs.
N-Channel 200 V 0.4 Ohm 43 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
3W(Ta),74W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 43nC@ 10 V 1N 200V 400m¦¸@ 5.4A,10V 9A 800pF@25V TO-263 4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NCHAN, SMD-220, 200V IRF630STRRPBF
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance800 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Rds On Max400 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité