Vishay BS170..
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2004-07-31
LTD Date2004-10-30
Descriptions
Descriptions de Vishay BS170.. fournies par ses distributeurs.
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-18
TRANSISTOR JFET POLARITY N; Transistor Polarity:N Channel; Power Dissipation Pd:830mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-92; Current Idss Max:500mA; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:830mW; Termination Type:Through Hole
USE BS170KL-TR1
JFET; Continuous Drain Current, Id:300mA; Drain-Source Breakdown Voltage:60V; On Resistance, Rds(on):3.5ohm; Package/Case:TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Breakdown Voltage Max:60V; Mounting Type:Through Hole
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Breakdown Voltage60 V
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Current Rating500 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.02 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation830 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation830 mW
Rds On Max5.3 mΩ
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.84 mm
Width5.84 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Déclarations de conformité