Vishay BPW83
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Chaîne d'approvisionnement
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.60.50
Introduction Date1985-06-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay BPW83 fournies par ses distributeurs.
BPW83 IR + VISIBLE LIGHT SI PIN PHOTODIODE, +/-65 DEG, THROUGH-HOLE
Vishay Photo Diodes, BPWseries, 950nm, Detect infrared+visible light
Silicon PIN Photodiode, side view, 5 x 3 x 6.4mm
VISHAY SEMICONDUCTOR BPW83 Wavelength of Peak Sensitivity:950nm
PHOTO PIN DIODE SV FLAT FILTR 870-e4
SENSOR PHOTODIODE 950NM RADIAL
Photo Transistor; Dark Current:30nA; Leaded Process Compatible:Yes; Breakdown Voltage Min:60V; Capacitance:40pF; Power Dissipation, Pd:0.215W ;RoHS Compliant: Yes
PHOTODIODE, PIN; Wavelength Typ:950nm; Half Angle:65°; Dark Current:2nA; Diode Case Style:Side Looking; No. of Pins:2; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:100°C; Operating Temperature Range:-40°C to +100°C; Package / Case:Radial; Peak Spectral Response Wavelength:950nm; Rise Time:100ns
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageRadial
MountThrough Hole
Number of Pins2
ShapeRectangular, Square
Technical
Breakdown Voltage60 V
Capacitance40 pF
Dark Current30 nA
Diode TypePIN
Fall Time100 ns
Max Operating Temperature80 °C
Max Reverse Voltage (DC)60 V
Min Operating Temperature-30 °C
Number of Circuits1
PackagingBulk
Peak Wavelength950 nm
Power Dissipation215 mW
Reverse Breakdown Voltage60 V
Reverse Voltage32 V
Rise Time100 ns
Viewing Angle130 °
Wavelength950 nm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Déclarations de conformité