Vishay BPW21R
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) Code3A001.a.2.c
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.60.50
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay BPW21R fournies par ses distributeurs.
PHOTODIODE, SILICON PIN, TO-5, 9 MUA (TYP.), 450 MV (TYP.), 2 NA (TYP.), -55 DE
Wavelength of Peak Sensitivity nm = 565 / Supply Voltage Max. V = 1 / Pins = 2 / Supply Current mA = 50 / Dark Current nA = 2 / Bulb Size (Diameter) mm = 8 / Bulb Package = TO-5
PHOTODIODE, COLOUR CORRECTED; Wavelength Typ:565nm; Half Angle:50°; Dark Current:2nA; Diode Case Style:TO-5; No. of Pins:2; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Active Area:7.5mm²; Breakdown Voltage Vbr:10V; Diode Type:Photodiode; External Diameter:8mm; External Length / Height:3mm; Fall Time tf:3.5µs; Lead Spacing:5mm; Package / Case:TO-5; Peak Spectral Response Wavelength:565nm; Peak Wavelength:565.00nm; Reverse Voltage Vr Max:10V; Rise Time:3.5µs
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-5
Contact PlatingGold
MountPCB, Through Hole
Number of Pins2
ShapeRound
Technical
Ambient Temperature Range High125 °C
Breakdown Voltage10 V
Capacitance400 pF
Dark Current30 nA
Diode TypePIN
Fall Time3 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1 V
Lens StyleFlat
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature125 °C
Max Power Dissipation300 mW
Max Reverse Voltage (DC)10 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Circuits1
PackagingBulk
Peak Wavelength565 nm
Power Dissipation300 mW
Response Time3.1 µs
Reverse Breakdown Voltage10 V
Reverse Voltage10 V
Reverse Voltage (DC)10 V
Schedule B8541406050
Viewing Angle100 °
Wavelength565 nm
Dimensions
Height3.3 mm
Lead Length14.1 mm
Length9.1 mm
Width9.1 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité