Texas Instruments CSD75207W15
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
Ressources d’ingénierie
Voir les kits d'évaluation et les conceptions de référence pour Texas Instruments CSD75207W15.
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMP6A17GTA
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
VishaySIA911ADJ-T1-GE3
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 20V 3.2A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Diodes Inc.ZXMP6A17E6TA
ZXMP6A17 Series 60 V 0.125 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Diodes Inc.DMG2301L-7
Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD75207W15 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA / Mosfet Array 3.9A 700mW Surface Mount 9-DSBGA
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, dual Common Source WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 27 mOhm, gate ESD pro 9-DSBGA -55 to 150
Trans MOSFET P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
700mW 6V 1.1V@250µA 3.7nC@4.5V 2 P-Ch 162mΩ@1A,1.8V 3.9A 595pF@10V DSBGA-9 SMD 1.5mm × 1.5mm × 620μm
MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
IC ETHERNET SWITCH QUAD 16SOIC
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins9
Technical
Continuous Drain Current (ID)-3.9 A
Drain to Source Resistance45 mΩ
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-6 V
Input Capacitance595 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation700 mW
Rds On Max162 mΩ
Rise Time8.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32.1 ns
Turn-On Delay Time12.8 ns
Dimensions
Height625 µm
Length1.75 mm
Width1.75 mm