Texas Instruments CSD19533KCS
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Ressources d’ingénierie
Voir les kits d'évaluation et les conceptions de référence pour Texas Instruments CSD19533KCS.
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP083N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3 / N-Channel 100 V 73A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD19533KCS fournies par ses distributeurs.
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 10.5 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, TO-220-3; Polarité transistor: Canal N; Courant de drain Id: 100A; Tension Vds max..: 100V; Résistance Rds(on): 0.0087ohm; Tension, mesure Rds: 10V; Tension de seuil Vgs: 2.8V; Dissipation de pui
Mosfet, N Channel, 100V, 100A, To-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0087Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; Powerrohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD19533KCS
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.67 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.58 mm
Width8.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité