Texas Instruments CSD16301Q2
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Ressources d’ingénierie
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Modèles de référence
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD16301Q2 fournies par ses distributeurs.
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm 6-WSON -55 to 150
TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Power MOSFET, N Channel, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
25V 5A 24m´Î@8V4A 2.3W 1.55V@250Ã×A N Channel WSON-6 MOSFETs ROHS
5 A 25 V 0.034 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 25V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
Texas Instruments NMOS NexFET, Vds=25 V, 5 A, WSON, , 6
Mosfet, n Ch,25V,5A, son-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(On):0.019Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1.2V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Texas Instruments CSD16301Q2
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance340 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time4.1 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Thickness750 µm
Width2 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité