STMicroelectronics STW78N65M5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW77N65M5
N-channel 650 V, 0.033 Ohm, 69 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW70N60M2
N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW78N65M5 fournies par ses distributeurs.
STW78N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 69 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 69 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, 69A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:69A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW78N65M5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)69 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation450 W
Rds On Max32 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time163 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant