STMicroelectronics STW5NK100Z
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW10NK80Z
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-247 package
InfineonSPW11N80C3FKSA1
Power MOSFET, General Purpose, N Channel, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Through Hole
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW5NK100Z fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 1000V - 3 Ohm - 3.5A - TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
N-Channel 1 kV 3.7 Ohm Flange Mount SuperMESH3 Power Mosfet - TO-247
STW5NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-247
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.5A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 3.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
N Channel Mosfet, 1Kv, 3.5A, To-247; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1Kv; Resistencia De Activación Rds(On):3.7Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STW5NK100Z
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance3.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.154 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max3.7 Ω
Resistance3.7 Ω
Rise Time7.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time51.5 ns
Turn-On Delay Time22.5 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant