STMicroelectronics STW52NK25Z
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW11NK100Z
N-CHANNEL 1000V - 1.1 Ohm - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
STMicroelectronicsSTW12NK90Z
N-channel 900 V, 0.72 Ohm, 11 A, TO-247 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW52NK25Z fournies par ses distributeurs.
N-channel 250 V, 0.033 Ohm typ., 52 A, Zener protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
STW52NK25Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 52 A, 250 V, 3-PIN TO-247
MOSFET, N CH, 250V, 52A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 26A; Drain Source Voltage Vds: 250V; On Resistance Rds(on): 0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; P
250 V, 52 A, 0.033 OHM TO, 247 N CHANNEL ZENER, PROTECTED SUPERMESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 250V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N Channel, 250V, 52A, To-247; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:26A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:250V; Resistencia De Activación Rds(On):33Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STW52NK25Z
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)52 A
Current Rating52 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.85 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time75 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant