STMicroelectronics STW35N65DM2
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Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW35N65DM2 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 650V 32A TO247 / N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
N-channel 650 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW35N65DM2
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 32A, TO-247;
650V 32A 93m´Î@10V16A 250W 4V@250uA 2.5pF@100V N Channel 2.54nF@100V 56.3nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-247-3 MOSFETs ROHS
250W(Tc) 25V 5V@ 250µA 56.3nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 110mΩ@ 16A,10V 32A 2.54nF@100V TO-247-3 Through hole mounting
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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