STMicroelectronics STW18N65M5
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW23NM50N
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
STMicroelectronicsSTW21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
InfineonIPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 / N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW18N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
Single N-Channel 650 V 0.22 Ohm 31 nC 110 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
110W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 31nC@ 10V 1individualNChannel 650V 220m¦¸@ 7.5A,10V 15A 1.24nF@100V TO-247 Through hole mounting
Mosfet, N-Ch, 650V, 15A, 150Deg C, 110W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.198Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18N65M5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max220 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant