STMicroelectronics STU9N65M2
$ 0.662
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | STU9N65M2 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Mouser | 511-STU9N65M2 | 2 939 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STU9N65M2 | 327 | 600 | Tube | 22h | |||||||
| Win Source | WS-STU9N65M2 | 1 530 | 45 | 6h | ||||||||
| Worldway Electronics | STU9N65M2 | 14 087 | 7 | Tube | 5h |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251 / N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STU9N65M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STMICROELECTRONICS STU9N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-251-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.79ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max900 mΩ
Resistance790 mΩ
Rise Time6.6 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time22.5 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Fiches techniques et documents
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