STMicroelectronics STU65N3LLH5
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Pièces détachées
InfineonIRFU3707ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 56A;I-Pak (TO-251AA);PD 50W
STMicroelectronicsSTU75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
onsemiNTD4806N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 79A 2.14W 4.7ns
onsemiNTD78N03-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
onsemiNTD78N03-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STU65N3LLH5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 30 V, 0.0061 Ohm, 65 A, IPAK STripFET(TM) V Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6 ns
Input Capacitance1.29 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time11.2 ns
Turn-Off Delay Time32.4 ns
Fiches techniques et documents
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