STMicroelectronics STU3LN62K3
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Obsolete
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Fiche technique officielleIl y a 11 ans
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
N-channel 500 V, 2.8 Ohm typ., 2.3 A SuperMESH Power MOSFET in an IPAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STU3LN62K3 fournies par ses distributeurs.
N-channel 620 V, 2.5 Ω , 2.5 A SuperMESH3™ Power MOSFET DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
N-channel 620 V, 2.5 Ohm, 2.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET IPAK
620 V, 2.5 A, 2.5 OHM N-CHANNEL SUPERMESH3 POWER MOSFET IPAK Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 620V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 620V, 2.5A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:45W; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance386 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max3 Ω
Resistance3 Ω
Rise Time7 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fiches techniques et documents
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Fiche technique officielleIl y a 11 ans
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant