STMicroelectronics STS7NF60L
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.DMT6016LSS-13
DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
VishaySI7850DP-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STS7NF60L fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 60V - 0.017 Ohm - 7.5A SO-8 STripFET™ II MOSFET
Mosfet Transistor, N Channel, 7.5 A, 60 V, 0.017 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STS7NF60L
Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R
STMicroelectronics NMOS, Vds=60 V, 7.5 A, SO-8, , 8
STMICROELECTRONICS STS7NF60L MOSFETS
MOSFET, N-CH, 60V, 7.5A, 8-SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Powe
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance21.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max19.5 mΩ
Resistance19.5 mΩ
Rise Time27 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.75 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant