STMicroelectronics STS3DPF60L
Obsolete
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Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STS3DPF60L fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 Ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET
Power MOSFET Transistors Dual P-Ch 60 Volt 3A
3 A 60 V 0.16 ohm 2 CHANNEL P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SO
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.16ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
CAP CER 10000PF 100V C0G RADIAL
Transistor; Continuous Drain Current, Id:3A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
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Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating-3 A
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Fall Time14.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time54 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Fiches techniques et documents
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