STMicroelectronics STS2DPFS20V
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-26
LTD Date2009-06-26
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STS2DPFS20V fournies par ses distributeurs.
P-Channel 20V - 0.14 Ohm - 2A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET(TM) MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
Power MOSFET Transistors P-Ch 20 Volt 2.5 Amp
2.5 A 20 V 0.25 ohm P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Quad Receiver RS-422 16-Pin SOP T/R
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:2.5A; On Resistance, Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:0.6V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance de l'historique des stocks indisponible
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Current Rating-2.5 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Fiches techniques et documents
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