STMicroelectronics STP80NF55-06FP
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-04-01
LTD Date2021-10-01
Pièces détachées
InfineonIRFI3205PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.008Ohm;ID 64A;TO-220 Full-Pak;PD 63W;-55de
InfineonIPP70N04S406AKSA1
40V, N-Ch, 6.5 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP55NF06FP
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
onsemiFDPF041N06BL1
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F / Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP80NF55-06FP fournies par ses distributeurs.
STP80NF55-06FP N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 55 V, 3-Pin TO-220FP
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A TO-220FP STripFET(TM) II Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220FP Polarity: N Power dissipation: 45 W
N-CHANNEL 55V-0.005 OHM-80A-TO-220FP STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time155 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant