STMicroelectronics STP76NF75
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP80NF55-08
N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - TO-220 StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP78N75F4
N-channel 75 V, 0.008 Ω, 78 A TO-220, DPAK STripFET™2; DeepGATE™2; Power MOSFET
InfineonIPP052NE7N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / OptiMOS3 Power-Transistor
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
InfineonIPP040N06N3GXKSA1
188W(Tc) 20V 4V@ 90¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 60V 4m¦¸@ 90A,10V 11nF@30V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP76NF75 fournies par ses distributeurs.
N-channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
80 A 75 V 0.011 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
75 V, 0.0095 OHM, 80 A N-CHANNEL D2PAK STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time25 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant