STMicroelectronics STP5NK100Z
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP5NK100Z fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 1000V - 3 Ohm - 3.5A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STP5NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, Through Hole
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 125 W
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.5A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 3.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1Kv; Resistencia De Activación Rds(On):3.7Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP5NK100Z
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance3.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.154 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max3.7 Ω
Resistance3.7 Ω
Rise Time7.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time51.5 ns
Turn-On Delay Time22.5 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant