STMicroelectronics STP5N95K5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP5N95K5 fournies par ses distributeurs.
STP5N95K5 N-channel MOSFET Transistor, 3.5 A, 950 V, 3-Pin TO-220
N-channel 950 V, 2 Ohm typ., 3.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package
Single N-Channel 950 V 70 W 12.5 nC Silicon through Hole Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
70W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 12.5nC@ 10 V 1N 950V 2.5¦¸@ 1.5A,10V 3.5A 220pF@100V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 950V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 950V, 3.5A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:3.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP5N95K5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance220 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant