STMicroelectronics STP50NF25
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
InfineonIPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP50NF25 fournies par ses distributeurs.
N-channel 250 V, 0.055 Ohm, 45 A, TO-220 low gate charge STripFET(TM) Power MOSFET
STP50NF25 N-channel MOSFET Transistor, 45 A, 250 V, 3-Pin TO-220
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 45 A, 69 mOhm, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
48W 20V 4V@ 250uA 25nC@ 10V 1individualNChannel 100V 200mΩ@ 10V,5.7A 9.7A 330pF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
MOSFET, N CH, 250V, 45A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22A; Drain Source Voltage Vds: 250V; On Resistance Rds(on): 0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance69 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Dual Supply Voltage250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.67 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max69 mΩ
Resistance69 MΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant